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大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人
第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集, p.139 - 142, 2000/11
アルミニウム(Al)/炭素(C)共注入によるp型伝導シリコカーバイド(SiC)半導体の最適作製条件を明らかにするため、注入濃度と温度を変化させてAlとC注入を行った。Alは室温~800で210,210及び110/cm、Cは室温または800で210~510/cmの範囲で注入した。ホール係数測定より注入層の正孔濃度を求めたところ、低濃度(210/cm以下)Al注入試料では、210~510/cmのC共注入を行うことでAl単独注入に比べ正孔濃度が上昇すること、C濃度が110/cm付近で正孔濃度が最大値を示すことがわかった。これより最適共注入C濃度として110/cmが決定できた。また、Cを800で共注入した試料は室温C共注入試料に比べ高い正孔濃度を示し、高温C共注入の有効性を明確にすることができた。一方、高濃度(110/cm)Al注入の場合は、C共注入によるホール濃度の変化は見られず、Al自体の高温注入により正孔濃度が高められることが確認できた。